IR2011(S) & (PbF)
5
4
3
2
1
0
Typ.
5
4
3
2
1
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
5
4
3
2
Temperature ( o C)
Figure19A. Output Source Current
vs. Temperature
5
4
3
2
Supply Voltage (V)
Figure 19B. Output Source Current
vs. Supply Voltage
1
0
Typ.
1
0
Typ.
-50
-25
0
25
50
75
100
125
10
12
14
16
18
20
14
Temperature ( o C)
Figure 20A. Output Sink Current
vs. Temperature
Supply Voltage (V)
Figure 20B. Output Sink Current
vs. Supply Voltage
www.irf.com
相关PDF资料
IR20153STRPBF IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8SOIC
IR2086STRPBF IC DRIVER FULL BRIDGE 16-SOIC
IR2101PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP
IR2103SPBF IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC
IR2104STRPBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
IR2105STR IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC
IR2106PBF IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP
IR2108PBF IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
相关代理商/技术参数
IR2011PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER, HALF BRIDGE, 200V, 8DIP; Device Type:MOSFET; Module Configuration:High Side, Low Side; Peak Output Current:1A; Supply Voltage Min:10V; Supply Voltage Max:20V; Driver Case Style:DIP; No. of Pins:8; Input Delay:80ns; Output ;RoHS Compliant: Yes
IR2011S 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2011SPBF 功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2011STR 功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2011STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2011STRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R
IR20153S 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HIGH SIDE DRIVER WITH RECHARGE
IR20153SPBF 功能描述:IC DRIVER HI SIDE RECHARGE 8-SOI RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127